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LT-2型单晶少子寿命测试仪

发布时间：2023-07-09 22:57:44 作者：深圳市君达时代仪器有限公司阅读: 2658 次

LT-2型单晶少子寿命测试仪根据国际通用方法高频光电导衰退法的原理设计，由稳压电源、高频源、检波放大器，特制的InGaAsp／InP红外光源及样品台共五部份组成。采用印刷电路和高频接插连接。整机结构紧凑、测量数据可靠。

LT-2型单晶少子寿命测试仪

LT-2型单晶少子寿命测试仪是参考美国 A.S.T.M 标准而设计的用于测量硅单晶的非平衡少数载流子寿命。半导体材料的少数载流子寿命测量，是半导体的常规测试项目之一。本仪器灵敏度较高，配备有红外光源，可测量包括集成电路级硅单晶在内的各种类型硅单晶，以及经热处理后寿命骤降的硅单晶、多晶磷检棒的寿命测量等。

本仪器根据国际通用方法高频光电导衰退法的原理设计，由稳压电源、高频源、检波放大器，特制的InGaAsp／InP红外光源及样品台共五部份组成。采用印刷电路和高频接插连接。整机结构紧凑、测量数据可靠。

单晶电阻率范围	>2Ω.cm
单晶少子寿命范围	5μS～7000μS
配备光源类型	波长：1.09μm；余辉<1 μS；闪光频率为：20～30次／秒；闪光频率为：20～30次／秒；
高频振荡源	用石英谐振器，振荡频率：30MHz
前置放大器	放大倍数约25，频宽2 Hz-1 MHz
仪器测量重复误差	<±20％
测量方式	采用对标准曲线读数方式
仪器消耗功率	<25W
仪器工作条件	温度： 10-35℃、湿度 < 80％、使用电源：AC 220V，50Hz
可测单晶尺寸	断面竖测：φ25mm—150mm； L 2mm—500mm；纵向卧测：φ25mm—150mm； L 50mm—800mm；
配用示波器	频宽0—20MHz；电压灵敏：10mV／cm；

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